布局氮化鎵(GaN)市場，意法半導體(ST)近期宣布和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵功率切換元件製造技術，以滿足高效能、高功率的應用需求，例如電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器等。雙方將利用IRT奈米電子技術研究所的框架計劃，製程技術將會從Leti的200mm研發線移轉到ST的200mm晶圓試產線，預計2020年前投入運營。
如何提高能源使用效率，已是產業界共通的發展課題，而氮化鎵具備更高的開關速度、更低的切換損失等特性，能有效提升高功率電源系統能源效率。因此，許多電源相關晶片業者紛紛將未來產品重心放在GaN的應用導入之上；有鑒於矽基氮化鎵技術對電源產品應用的吸引力，Leti和ST正在評估高密度電源模組所需的先進封裝技術。
意法半導體汽車與離散元件產品部總裁Marco Monti表示，在認識寬能隙功率半導體價值後，該公司與CEA-Leti開始攜手研發矽基氮化鎵功率元件的製造和封裝技術，希望透過雙方合作，打造更完整的GaN和SiC產品組合。
Leti執行長Emmanuel Sabonnadiere則指出，該公司團隊利用其200mm通用平台全力支援ST矽基氮化鎵功率產品的策略規劃，並完成準備將該技術移轉到ST圖爾工廠的專用生產線。
本合作計畫之重點是在200mm晶圓上開發和驗證製造先進矽基氮化鎵架構的功率二極體和電晶體。ST和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計劃，在Leti的200mm研發線上開發製程技術，預計在2019年完成可供驗證的工程樣品。同時，ST還將建立一條高品質生產線，包括GaN/Si異質磊晶製程，並計劃2020年前在法國圖爾前段製程晶圓廠進行首次生產。
為搶攻GaN市場，ST近期可說是動作頻頻。除了和Leti合作研發先進矽基氮化鎵功率二極體和電晶體架構外，不久前也宣布與MACOM合作開發射頻矽基氮化鎵技術。射頻矽基氮化鎵採用與矽基功率氮化鎵不同的技術，其應用優勢也不同。例如，功率矽基氮化鎵技術適合在200mm晶圓上製造，而射頻矽基氮化鎵目前更適合在150mm晶圓上製造；但無論哪種方式，由於低切換損失特性，GaN皆適用於更高工作頻率的產品應用。
